一、110GHz電光強(qiáng)度調(diào)制器成功研發(fā)

      近日，國產(chǎn)化110GHz電光強(qiáng)度調(diào)制器產(chǎn)品在國家信息光電子創(chuàng)新中心（NOEIC）研制成功，并獲多家產(chǎn)業(yè)客戶驗(yàn)證和訂購。

     該調(diào)制器以國產(chǎn)薄膜鈮酸鋰芯片為核心，可在C和L波段工作，具有超高帶寬、超高速率、低啁啾、低驅(qū)動(dòng)電壓、高線性度等特性，其3dB帶寬高達(dá)110GHz，是我國帶寬突破110GHz的電光調(diào)制器產(chǎn)品，關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)達(dá)到水平，將廣泛應(yīng)用于光通信、光互連、光計(jì)算、光電測(cè)試測(cè)量、微波光子等寬帶光電子信息系統(tǒng)。通常用110GHz光波元件分析儀測(cè)試電光調(diào)制器頻率。

      高速電光調(diào)制器的主要功能是將電信號(hào)轉(zhuǎn)換為光信號(hào)，是光電子系統(tǒng)核心器件。隨著光電子信息產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，對(duì)電光調(diào)制器的帶寬、速率上的要求也不斷增加。
      目前，我國僅能研制生產(chǎn)帶寬40GHz以內(nèi)的電光調(diào)制器產(chǎn)品，而帶寬超過67GHz的電光調(diào)制器被美日等少數(shù)公司壟斷，且價(jià)格昂貴，嚴(yán)重威脅產(chǎn)業(yè)自主發(fā)展。

      為盡快補(bǔ)齊 我國光電子器件供應(yīng)鏈這一短板，國家信息光電子創(chuàng)新中心三年磨一劍，攻克并掌握了超高帶寬調(diào)制器芯片、RF高性能傳輸基板、高頻電學(xué)互連焊接工藝、管殼腔體諧振抑制等關(guān)鍵技術(shù)，核心芯片和零部件實(shí)現(xiàn)全部國產(chǎn)化，今年相繼發(fā)布40GHz、60GHz和90GHz三款高帶寬光強(qiáng)度調(diào)制器產(chǎn)品，近日又成功實(shí)現(xiàn)110GHz電光強(qiáng)度調(diào)制器的國產(chǎn)化。該系列產(chǎn)品獲得了國內(nèi)多家產(chǎn)業(yè)用戶和研究院所的驗(yàn)證和訂購，將有效緩解光調(diào)制器的“卡脖子"問題。  

二、電光調(diào)制器常見參數(shù)定義

     電光調(diào)制器的性能主要由幾個(gè)參數(shù)決定，相對(duì)而言，插損、半波電壓、帶寬和消光比是比較常見的，也是比較經(jīng)常問到的問題。

1、插損 (Insertion loss-IL)

2、靜態(tài)消光比(Static Extinction Ratio - SER)

3、動(dòng)態(tài)消光比(Dynamic Extinction Ratio - DER)

4、半波電壓 (Vπ)

（1）直流偏壓的半波電壓VπDC 的測(cè)量(DC 偏壓端口)

（2）射頻半波電壓VπRF的測(cè)量(RF 射頻端口)：強(qiáng)度調(diào)制器、相位調(diào)制器、

5、電回?fù)pS11（Electrical return loss）及電光帶寬S21（Electro-optical  bandwidth）

6、其他一些特殊指標(biāo)，比如，偏振相關(guān)損耗（Polarization Dependent Loss –PDL），偏振消光比（Polarization Extinction Ratio – PER），剩余強(qiáng)度調(diào)制（Residual Amplitude Modulation – RAM）

三、110GHz光波元件分析儀測(cè)試電光調(diào)制器頻率

（一）110GHz光波元件分析儀推薦

         高速光通信領(lǐng)域中組成部分是各種光電器件，例如激光器、光調(diào)制器以及光探測(cè)器等。除了光電器件之外，還有激光器/調(diào)制器驅(qū)動(dòng)電路，光電接收機(jī)后面的跨阻放大器（TIA）限幅放大器等等，所有這些器件其設(shè)計(jì)頻率跨度從射頻到微波，甚至毫米波波段。其驅(qū)動(dòng)電路形式中既有小信號(hào)/低噪聲，又包含了大功率電路，而且其模擬信號(hào)頻率可以高達(dá)40GHz (甚至毫米波：60GHz以上)。想要通過優(yōu)化器件以達(dá)到系統(tǒng)更好的工作狀態(tài)，就必須對(duì)這些關(guān)鍵光電有源器件進(jìn)行高效和準(zhǔn)確的測(cè)試。

       110GHz光波元件分析儀在射頻微波領(lǐng)域和光通信領(lǐng)域有長期的測(cè)試方案支持歷史，并不斷更新以滿足前沿的測(cè)試需求。在射頻微波方面提供的網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)試方案，經(jīng)歷多年發(fā)展后推出新的毫米波網(wǎng)絡(luò)分析儀，可支持900Hz-110GHz全頻段的一體化網(wǎng)絡(luò)分析測(cè)試。基于新的毫米波網(wǎng)絡(luò)分析儀，配套的110GHz光波元件分析儀（LCA）將測(cè)試領(lǐng)域拓展到高速光電器件，將光器件測(cè)試頻段也提升至業(yè)界比較高的110GHz范圍。

      110GHz光波元件分析儀具有以下特點(diǎn)：

（1）作為一套完整的光波元器件分析儀方案，出廠時(shí)已對(duì)光測(cè)試座和整個(gè)分析儀系統(tǒng)進(jìn)行精密的校準(zhǔn)，技術(shù)指標(biāo)可溯源至NIST，可以很好地保證在測(cè)試過程中測(cè)量參數(shù)的精準(zhǔn)度和可靠性。

（2）帶寬高達(dá)110GHz，且支持雙端口和四端口配置，可很好地滿足一些高速器件的平衡測(cè)試。

（3）內(nèi)置1310nm和1550nm激光器，同時(shí)可支持外部光源輸入，極大地增加了測(cè)試系統(tǒng)的靈活性.

（4）出色的底噪和頻響精度：

1、相對(duì)頻響精度：±0.7dB @ 50GHz ±1.6dB @ 100GHz

2、底噪：50 (100)GHz O/E測(cè)試時(shí)：-60 (50)dB (A/W)，50 (100)GHz E/O測(cè)試時(shí)-64 (59)dB (W/A)

（5）現(xiàn)場(chǎng)校準(zhǔn)過程快速、簡單，只需進(jìn)行網(wǎng)分的電端口校準(zhǔn)，可顯著提高測(cè)試精度和工作效率。

（6）測(cè)試系統(tǒng)包含完整的毫米波網(wǎng)絡(luò)分析儀功能，可靈活擴(kuò)展網(wǎng)絡(luò)分析儀的各種測(cè)試應(yīng)用，如放大器/混頻器/時(shí)域分析/頻譜分析等功能。

（7）光波元件分析儀支持自動(dòng)化控制，可集成探針臺(tái)和其他光測(cè)試設(shè)備組成自動(dòng)化在片測(cè)試系統(tǒng)，進(jìn)行高效的校準(zhǔn)和光電芯片批量測(cè)試。

（二）國產(chǎn)110GHz光波元件分析儀推薦

      隨著5G/6G光通信帶來的流量和速率的提升及物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算帶動(dòng)數(shù)據(jù)中心的大規(guī)模建設(shè)，400G光模塊已成為下一代光通信網(wǎng)絡(luò)和新一代數(shù)據(jù)中心的主流方案，其核心的光芯片帶寬從50/67GHz逐步向110GHz演變。為解決大帶寬光芯片的頻響測(cè)試難題，思儀科技突破多項(xiàng)核心技術(shù)，重磅推出Ceyear光波元件分析儀(Lightwave Component Analyzer, LCA)，產(chǎn)品調(diào)制頻率范圍覆蓋10MHz~110GHz，頻率響應(yīng)重復(fù)性±1.2dB，可實(shí)現(xiàn)光芯片的帶寬、平坦度、電反射等頻響參數(shù)的測(cè)量。

      光芯片研發(fā)和生產(chǎn)中，對(duì)帶寬、電反射等指標(biāo)的測(cè)試，可準(zhǔn)確評(píng)估芯片的性能。光波元件分析儀依據(jù)被測(cè)芯片的類型，搭配相應(yīng)的光電/電光轉(zhuǎn)換模塊，采用超寬頻帶1.0mm同軸連接，構(gòu)建“微波-電/光-光/電-微波"的測(cè)試鏈路，形成針對(duì)電光及光電芯片的頻響測(cè)試解決方案，如圖2為電光芯片（電光調(diào)制器芯片）頻響測(cè)試解決方案。

電光調(diào)制器芯片頻響測(cè)試解決方案

      光波元件分析儀集成電電(E/E)、電光(E/O)、光電(O/E)和光光(O/O)四種測(cè)試功能模式，功能模式之間支持一鍵切換，方便用戶結(jié)合測(cè)試場(chǎng)景，實(shí)現(xiàn)電光芯片（EAM、EAL等）、光電芯片（PIN、APD等）、光光芯片（EDFA、SOA等）及電電芯片（放大器芯片、混頻器芯片等）頻響參數(shù)的精準(zhǔn)測(cè)量，如圖3所示，以光電探測(cè)器芯片為例，6433P通過搭配探針臺(tái)、高頻探針，利用儀器自帶的校準(zhǔn)端面管理功能，提取高頻探針的s2p文件，將該文件利用射頻去嵌入功能，消除探針對(duì)測(cè)試鏈路的影響，完成被測(cè)件的測(cè)量。

探測(cè)器芯片測(cè)試框圖

     通過電光器件S11、S21參數(shù)及光電器件S22、S21參數(shù)的測(cè)試，利用多窗口對(duì)比、3dB帶寬分析等，用戶能獲取測(cè)試對(duì)象各頻點(diǎn)的反射參數(shù)、傳輸參數(shù)等頻響特性，滿足科研、產(chǎn)品線等測(cè)試需求。                        

探測(cè)器芯片的S21曲線

探測(cè)器芯片的S22曲線

      光波元件分析儀的調(diào)制頻率可下探至500Hz，滿足用戶低頻段測(cè)試需求；Mini 1Hz的頻率分辨率和比較高200001點(diǎn)的測(cè)量點(diǎn)數(shù)，能夠帶來更豐富的頻點(diǎn)信息和更精細(xì)的測(cè)量結(jié)果；配置四端口機(jī)型可實(shí)現(xiàn)平衡光發(fā)射或光接收芯片對(duì)差分增益參數(shù)的測(cè)試需求；配備的LAN、GPIB遠(yuǎn)程控制接口及SCPI指令集，為系統(tǒng)集成及自動(dòng)化測(cè)試提供有力的保障。

      光波元件分析儀具有寬頻帶同軸覆蓋、測(cè)試功能豐富、一鍵式快速掃頻等優(yōu)點(diǎn)，具備出色的微波及光電特性。靈活的硬件配置和豐富的軟件功能相輔相成，助力用戶解決光芯片頻響測(cè)試難題。